PbTiO3/SiO2閘極ISFET裝置及其製法、及形成感測膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/778,285

專利證號

US 7190013 B2

專利獲證名稱

PbTiO3/SiO2閘極ISFET裝置及其製法、及形成感測膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2007/03/13

技術說明

本專利係揭示一PbTiO3/SiO2閘極之ISFET元件，其包含一作為氫感測層之PbTiO3薄膜及其形 成 方法。PbTiO3薄膜係經由 sol-gel製程製成，具有許多優點，例如低製程溫度、薄膜成份易控制及容易塗佈於大面積之 基板。PbTiO3/SiO2閘極之 ISFET元件於水溶易中具有高度敏感性，特別係酸性水溶液，其感測度之範圍從 50~58mV/pH。 此外，ISFET具有高度之 線性度，據此，ISFET可使用於偵測各種流體。 A PbTiO3/SiO2-gated ISFET device comprising a PbTiO3 thin film as H+-sensing film, and a method of forming the same. The PbTiO3 thin film is formed through a sol-gel process which offers many advantages, such as, low processing temperature, easy control of the composition of the film and easy coating over a large substrate. The PbTiO3/SiO2 gated ISFET device of the present invention is highly sensitive in aqueous solution, and particularly in acidic aqueous solution. The sensitivity of the present ISFET ranges from 50 to 58 mV/pH. In addition, the disclosed ISFET has high linearity. Accordingly, the disclosed ISFET can be used to detect effluent.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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