垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092101660

專利證號

I 199409

專利獲證名稱

垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2004/03/21

技術說明

本發明提出一種垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法，主要係先形成n型及p型歐姆接觸電極，再形成上介電材質 之布拉格反射層，而後將晶圓貼至一暫時基板，並移除磊晶用之基板，再鍍上下介電材質之布拉格反射層，與電鍍用之 金屬層，最後電鍍一永久基板。藉由本發明之方法可使布拉格反射層(DBR)保持高鏡面反射率，又可於室溫製作具散熱 功能之金屬基板，甚至經適當設計可製作成無須切割之金屬基板，具高功率雷射之應用潛力，製程簡單而成本較低。

備註

國際分類號尚有:H01S 3/10, H01S 33/00 本部(收文號1040089468)同意該校104年12月17日興產字1044300671號函申請終止維護專利 (多填I為了系統規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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