CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105103057

專利證號

I 562224

專利獲證名稱

CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/12/11

技術說明

本發明提供一種CMOS-MEMS 諧振換能器及其製造方法，藉由精確蝕刻的雙端自由樑結構，可以高良率製程提供具有窄間隙(<500nm)的CMOS-MEMS 諧振換能器，此外，透過設置在諧振主體底部的氮化鈦材料層，可有效降低因靜電導致的頻率偏移，本發明還適用於各式尺度之CMOS-MEMS 平台製程，提供製程以及結構設計上的靈活性。 本發明係關於一種CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法，更精確的，係關於一種藉由基於現有COMS-MEMS平台之製程，在諧振主體設置氮化鈦層以提昇靜電傳導以及頻率穩定性的CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法。 A CMOS-MEMS resonant transducer and a method for fabricating the same are disclosed, which provide the CMOS-MEMS resonant transducer having narrow gaps(<500nm) with high yield by etching a well-defined free-free beam structure, furthermore, the TiN layers disposed at the bottom of the resonant body may efficiently reduce the frequency drift due to electrostatic charges. The method for fabricating the CMOS-MEMS resonant transducer is also adapted to the processes of CMOS-MEMS platform with various scales, which provides routing and MEMS design flexibility.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址