低雜訊疊接放大器Low Noise Cascode Amplifier

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/457927

專利證號

US 8,040,188 B2

專利獲證名稱

低雜訊疊接放大器Low Noise Cascode Amplifier

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/10/18

技術說明

本發明有關於一種低雜訊疊接放大器，主要包括有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第一電感及一第二電感，其中第一電晶體透過第一電感而與第二電晶體相連接，第二電晶體則透過第二電感與第三電晶體相連接，並形成一疊接電路，使用在高頻的時候電感會與電晶體所產生的雜散電容產生共振，藉此將可有效降低疊接放大器在高頻時所產生的雜訊。 The present invention relates to a low noise cascode amplifier comprises a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first inductor, and a second inductor. Further, the first transistor can connect with the second transistor via the first inductor, and the second transistor can connect with the third transistor via the second inductor; thereby a cascode device can be formed. The inductor and the parasitic capacitances can resonate at high frequency, so that the noise figure of the cascode amplifier can be reduced.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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