發明
中華民國
094128964
I 254378
一種奈米線與量子點的製造方法
財團法人國家實驗研究院
2006/05/01
一種奈米線與量子點的製造方法,其步驟包含提供一矽基板,提供一感應耦合電漿設備,並將該矽基板置於該感應耦合電 漿設備的反應室中,通入氫氣至該反應室內,以及使用一預設操作電漿功率,並同時對該矽基板施加一適當的偏壓(bias pressire),於200-400度下對該矽基進行乾蝕刻,藉此即可製得該奈米線或該量子點.
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