發明
中華民國
095119115
I 297767
表面電漿共振量測裝置及方法
國立清華大學
2008/06/11
我們提出了一種應用「表面電漿共振」技術來測量奈米級間隙寬度或位移的方法,利用這個技 術方法,同時發展出一組量測奈米間隙或位移的光學設備。我們提出的方法可以即時、直接地 測量小於二分之一可見光波長的微小間隙與位移變化,亦可輕易達到比100 nm更小的範圍。
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