溫度感測裝置及方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101129172

專利證號

I 449889

專利獲證名稱

溫度感測裝置及方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/08/21

技術說明

1. 傳統溫度感測器多以雙極電晶體或二極體做為感測機制區塊，但在積體電路上較不易實現(佈局上面積與成本上的考量)且需消耗可觀的功率造成元件本身的溫度上昇。我們使用操作在反向區的金屬氧化物半導體式電容所產生的漏電流當做感測機制區塊，在積體電路實現上較容易且消耗的功率相對小許多。本篇提出一個以操作在反向區的金屬氧化物半導體式電容當做感測機制的溫度感測器，並且與一不隨溫度變化的參考電流進行比較後，加上弛張振盪器使其轉為頻率輸出後再經由工作週期調整器將結果輸出，來達到節省功耗且改善溫度感測器的線性度和靈敏度 In this patent, we propose a new technique for temperature sensor that using gate leakage current of NMOSFET capacitor as sensing mechanism. The sensing mechanism ( PTAT current ) compared with reference current and give frequency results via relaxation oscillation technique. In the way, the proposed temperature sensor can be implemented with lower power dissipation and impove linearity and sensitivy.

備註

本部(收文號1100057959)同意該校110年9月16日校研發字第1100067275號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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