金氧半結構的記憶元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100125737

專利證號

I 467754

專利獲證名稱

金氧半結構的記憶元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/01/01

技術說明

本發明所揭露之金氧半結構的記憶元件，包含：半導體層、氧化層及導電層。其中，半導體層為記憶元件的基板；氧化層形成在半導體層之上。元件電流在反轉區受控於元件周長電流，當施加負偏壓時，使氧化層內部的負電荷移動至元件周長，降低元件周長的邊際電場效應，成為寫入狀態，即有較低的電流狀態。當施加正偏壓時，使氧化層內部的負電荷恢復至施加負偏壓前的狀態，以便恢復元件周長的邊際電場效應，成為抹除狀態，而得相對較高的電流狀態。導電層用以形成在氧化層之上，並且將圖案化的光阻層覆蓋在導電層上後，蝕刻去除未被光阻層遮蔽的導電層。 A memory device based on metal oxide semiconductor (MOS) structure and fabricating method thereof is disclosed. By applying positive/negative bias to an oxide layer within the MOS structure for changing negative charge distribution inside the oxide layer, so as to obtain two stable characteristics of current status according to the fringing field effect. The mechanism is used to reduce the fabricating cost and to provide convenience for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integration.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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