無金屬化電極之聚偏氟乙烯壓電膜的製程方法及其系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101100982

專利證號

I 448381

專利獲證名稱

無金屬化電極之聚偏氟乙烯壓電膜的製程方法及其系統

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2014/08/11

技術說明

無金屬化電極之極化聚偏氟乙烯(PVDF)壓電膜的製程包括使PVDF膜位於二玻璃基底之間，玻璃基底上鍍著氧化銦錫層(ITO)膜層，且二ITO層分別緊密貼合在PVDF膜之上與下，接著對二ITO層施加一DC極化電壓，且該DC極化電場為約400至900kV/cm，使其成為具有壓電或焦電特性之無金屬化電極之極化PVDF壓電膜。各玻璃基底包括一浮式鈉鈣玻璃(soda lime float glass)，且各該浮式鈉鈣玻璃具有一厚度，該浮式鈉鈣玻璃的厚度為約1.0毫米。極化後之PVDF膜具有壓電特性，其壓電常數為d33，可達18 pC/N以上。 The major purpose of present invention is to provide a manufacturing method for polarized polyvinylidene fluoride (PVDF) piezoelectric film of non-metalized electrode with high pressure resistance, in order to obtain a better polarization and the PVDF piezoelectric film with non-metalized electrode. Another major purpose of present invention is to provide a polarization system, which can impose higher electric field of polarization on polyvinylidene fluoride (PVDF) piezoelectric film, so better polarization effect can be obtained.

備註

本部(收文號1090010411)同意該校109年2月17日原產字第1090000440號函申請終止維護專利(中原)

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