利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092133791

專利證號

I228293

專利獲證名稱

利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2005/02/21

技術說明

一種受應變力之互補型金氧半場效電晶體的佈局擺放 法.該電晶體中之N型金 氧半場效電晶體與P型金氧半場效電晶體之通道中電流 流動方向互成垂直.如 此可用同一方向的機械應變力施加於兩者之通道,同時 增進N型及P型電晶體 之驅動電流及操作速度.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址