金屬化合物半導體生物晶片及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102108321

專利證號

I 529896

專利獲證名稱

金屬化合物半導體生物晶片及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣海洋大學

獲證日期

2016/04/11

技術說明

本研究目的是探討利用頻磁控濺鍍(Radio Frequency Magnetron Sputtering)的方式，斜向氮化鈦濺鍍/氮化鈦薄膜46nm (TiN Inclined sputtering 1 minute/TiN thin film 46nm) 之奈米表面電漿共振(SPR)生物晶片，在量測方面是利用表面電漿共振外差干涉式相位量測系統，針對不同折射率葡萄糖溶液量測表面電漿共振生物晶片之相位及反射率之靈敏度。(1)在入射波長為1150nm時，改變多種不同濺鍍厚度，我們可以獲得氮化鈦薄膜(46nm) 有最佳載子濃度 以及最佳反射率相位靈敏度 RIU和 RIU。;(2)改變多個不同濺鍍時間當斜向角度為50.86度時，我們可以獲得 斜向氮化鈦濺鍍1分鐘/氮化鈦薄膜46nm (TiN Inclined sputtering 1 minute/TiN thin film 46nm) 在入射波長1150nm時有最佳相位靈敏度 RIU，載子濃度可以達到 。;(3)我們將斜向氮化鈦濺鍍1分鐘/氮化鈦薄膜46nm (TiN Inclined sputtering 1 minute/TiN thin film 46nm) 兩層奈米結構之生物晶片應用在即時量測上，並具有重複使用的特性。 The objective of the processes are to analyse the physical vapor deposition(PVD) to estimate the optimum proportion of metals and reactants to improve the sensitivity of semiconductor bio-chip.Through inclined sputtering and changing incline angle help the semiconductor biochip sensitiviy better.Furthermore,the effect of sensitivity can be simulated via numerical calculation.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運總中心

連絡電話

(02)24622192#2299

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