III族氮化物半導體層、III族氮化物半導體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098112395

專利證號

I 427699

專利獲證名稱

III族氮化物半導體層、III族氮化物半導體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

中央研究院

獲證日期

2014/02/21

技術說明

此發明是製作，獨立的氮化鎵半導體基板之方法。此基板可作為光電子和微電子元件的應用，例如：發光二極體、雷射二極體和高電子流動電晶體。 此製作方法從藍寶石基板成長氮化鎵薄膜開始。之後將氮化鎵晶片置於蝕刻製程，以蝕刻方式，蝕刻氮化鎵在藍寶石基板介面附近易被蝕刻的部份。如果因為氮化鎵和藍寶石基板介面之間的空間狹窄，而使蝕刻化學不易持續進行，可在其表面先蝕刻出開孔，使其深達到藍寶石基板表面。下一步是使蝕刻在氮化鎵和藍寶石基板的介面間橫向進行，此橫向蝕刻可藉由將氮化鎵晶片放入流體態化學藥品中達成。這橫向化學蝕刻是一選擇性蝕刻，它只選擇在氮化鎵和藍寶石基板的介面間蝕刻。經過蝕刻的氮化鎵晶片利用MOCVD去做再次成長，使整個氮化鎵表面，包括所有開孔，均被覆蓋。此重新成長的過程仍會保留原先氮化鎵與藍寶石之間經由蝕刻造成的空隙。重長的氮化鎵晶片只有非常小面積部份和下面的藍寶石基板接觸，氮化鎵薄膜可藉由化學蝕刻或機械方式與下面藍寶石基板分離。

備註

本部(收文號1100019638)同意該校110年4月1日智財字第11000502604號函申請終止維護專利(中研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉處

連絡電話

02-2787-2508

網址