基於圖案製作真確度之圖案製作系統設計方法與裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100126025

專利證號

I 439822

專利獲證名稱

基於圖案製作真確度之圖案製作系統設計方法與裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/06/01

技術說明

本發明提供一種直接考慮圖案製作真確度之圖案製作系統的設計方法，可確保圖案製作系統的設計滿足圖案製作的真確度。本發明提出一種圖案製作系統的設計方法，包括下列步驟。提供一目標圖案與一組曝寫參數。依據該目標圖案來最佳化該組曝寫參數。提供一組目標圖案製作真確度的一第一目標值範圍與調整設計參數次數的一第一預設值。依據一組設計參數與該組曝寫參數模擬該目標圖案的製作結果，以得到一模擬圖案。比較該目標圖案與該模擬圖案，以計算出一圖案製作真確度。判斷該圖案製作真確度是否達到第一目標值範圍或調整該組設計參數的次數是否達到第一預設值。若該圖案製作真確度未達到第一目標值範圍或調整該組設計參數的次數未達到第一預設值，依據該組目標圖案製作真確度調整圖案製作系統的該組設計參數，以最佳化該圖案製作系統之該組設計參數。 A new EOS design methodology which directly incorporates lithography patterning fidelity metrics into the optimization flow. The initial values of EOS design parameters and geometry constraints are first optimized using a traditional design flow to obtain acceptable focusing properties. Then, constraints and cost functions related to patterning fidelity are selected to optimize the EOS parameters to obtain acceptable patterning fidelity. In each design iteration, the lithography patterning results are compared against corresponding drawn layouts.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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