寬頻低雜訊放大器之設計方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100136369

專利證號

I 462470

專利獲證名稱

寬頻低雜訊放大器之設計方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/11/21

技術說明

本發明提出ㄧ種寬頻低雜訊放大器之設計方法。該放大器係包括一共閘級和一共源級，其間以一組並聯串聯匹配網路串接。該共閘級電路在低頻段及高頻段具有較高增益，該共源級電路在中頻段具有較高增益，組合之後在整個寬頻段皆有足夠之增益。本設計方法已用來設計兩種寬頻低雜訊放大器，分別在3.1 - 10.3 GHz及14.3 - 29.3 GHz頻段，並獲得驗證。本設計方法較先前之設計方法更有系統，能快速估算高頻、中頻及低頻之大略位置，節省設計過程中嘗試錯誤的步驟。 A design method of ultra-wideband low-noise amplifiers (LNAs) is proposed. The LNA is consisted of a common-gate (CG) stage and a common-source (CS) stage, interconnected via a parallel-to-series matching network. The CG stage has higher gain in the low and high bands, the CS stage has higher gain in the middle band, and the LNA has sufficient gain over the whole band. This method has been verified by implementing two LNA chips over the 3.1 - 10.3 GHz and the 14.3 - 29.3 GHz bands, respectively. Compared with existing methods, this method proves to be more systematic. The spectra of the low, middle and high bands can be located quickly, the trial-and-error efforts during the design process can be significantly curtailed.

備註

本部(收文號1090060317)同意該校109年9月28日校研發字第1090083785號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

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