METHOD FOR FABRICATING HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A MICA SHEET

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/386,779

專利證號

US 10,930,496 B2

專利獲證名稱

METHOD FOR FABRICATING HETEROEPITAXIAL SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A MICA SHEET

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2021/02/23

技術說明

本發明提供一種雲母片上異質磊晶半導體材料之製程方法,係於提供一雲 母基板;以及沈積至少一半導體薄膜於雲母基板上,以形成一可撓式基板。可 撓式基板的耐彎曲特性可應用於穿戴式、可攜式光電設備,提升商用及軍用系 統的速度和帶寬等多元化應用,極具市場競爭優勢。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址