具有奈米級多孔性感測金屬合層之半導體氫氣感測器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098121437

專利證號

I 384562

專利獲證名稱

具有奈米級多孔性感測金屬合層之半導體氫氣感測器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄師範大學

獲證日期

2013/01/07

技術說明

本發明揭示一種具有奈米級感測金屬合層之半導體氫氣感測器。本發明之奈米級感測金屬層係將金屬/氧化物混合物形成於一半導體感測平臺上，再對該金屬/氧化物混合物進行蝕刻，以去除該混合物中之氧化物，而形成具有孔洞之奈米級金屬層。當進行氫氣感測時，該奈米級感測金屬層孔洞之大表面積可增加氫氣分子之吸附與分解。且該奈米級感測金屬層下方之該金屬/氧化物混合物內所補獲之氫原子在偏壓下將極化成三維(three dimension)之偶極層。本發明之半導體氫氣感測器其靈敏度相當大，且反應時間相當短，極適於低濃度氫氣感測之使用。 A high-performance semiconductor hydrogen sensor with nano-scale sensing metal layer is disclosed by the present invention. The nano-scale sensing metal layer with holes is formed as: i) the metal-oxide mixture is formed upon the semiconductor sensing platform, and ii) the etching process is employed to remove the oxide of the metal-oxide mixture. The large surface area of the nano-scale sensing metal layer with holes could effectively increase the adsorbed and decomposed effect of hydrogen atoms. Also, hydrogen atoms trapped within the mixture below the catalytic metal layer could form the three-dimensional dipoles as function of the biased voltages. The sensitivity is relatively large and the response time is relatively short, which indicate the semiconductor hydrogen sensor is very promising for low-concentration hydrogen detection.

備註

本部(收文號1070027349)同意該校107年4月23日高師大研字第1071003605號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

學術研究組

連絡電話

7172930轉6700

網址