矽薄膜太陽能電池之光電轉換元件的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100100096

專利證號

I 405348

專利獲證名稱

矽薄膜太陽能電池之光電轉換元件的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2013/08/11

技術說明

本發明乃在於提供一種提高矽薄膜太陽能電池效率之方法，有效利用光散射效果使太陽能散射，大幅提升矽薄膜太陽能電池之短路電流密度及效率。為達成前揭目的，本發明題供三種增加光散射的製作方法，第一種利用YVO4雷射於ITO電極表面進行雷射掃瞄處理，以達到ITO表面糙化之效果。第二種利用轉貼技術將散射膜轉貼於元件受光面上，以達到元件表面糙化效果。第三種是將上述之兩種方法結合誠第三種，此三種方法主要是增加元件表面糙化效果，以提高光散射及減少元件反射之效果，並且可減少矽薄膜太陽能電池元件之本質層厚度及增加短路電流密度。 This study produced different light trapping structures to enhance the component efficiency for amorphous silicon thin film solar cells. The first part used a simple transfer-print technique to print a micro structure on a UV glue layer which was spin coated onto the component’s illuminated face of the solar cell. The second part used laser engraving to produce different patterns on the ITO electrode to obtain a roughening effect. As light penetrated through the component, the transfer-printed reflective film and roughened ITO electrode effectively increased the optical path and scattering of light, which further enhanced the component efficiency of the solar cell. When these easy-produced light trapping structures are applied to solar cells, they can effectively enhance the solar cell component efficiency and reduce production costs.

備註

本部(收文號1050040365)同意該校105年6月13日虎科大智財字第10534000970號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

網址