氧化鋅奈米柱薄膜及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099101331

專利證號

I 412636

專利獲證名稱

氧化鋅奈米柱薄膜及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2013/10/21

技術說明

本發明係提供一種在一基板上形成氧化鋅晶種層，並於鋅離子濃度為0.001~0.1 M的氧化鋅奈米柱薄膜成長溶液中於50～100 ℃之成長溫度及0.5～10 小時之成長時間下，令前述氧化鋅晶種層上成長出一氧化鋅奈米晶柱層，進而獲取一成長有奈米晶柱層之氧化鋅奈米柱薄膜的氧化鋅奈米柱薄膜製備方法；該氧化鋅奈米柱薄膜製備方法具有製程簡單、低製程溫度與低成本，且能提供高緻密性且具有良好光學特性之氧化鋅奈米柱薄膜。 The invention provides a method to fabricate compact and highly c-axis-oriented ZnO nanorods thin films on silica glass substrates by a simple solution-growth technique. The ZnO seed layer coated substrate is immersed in 0.001~0.1 M ZnO precursor solution at 50-100 ℃/0.5-10 h to grow ZnO nanorods layer. Under the best fabricated parameters, ZnO nanorods thin film can be synthesized. The invention gives a simple solution-growth method for the fabrication of low-cost, low-temperature grown, high density and well optical characteristic ZnO nanorods thin films.

備註

本部(收文號1080056778)同意該校108年8月20日中正研發字第1080007672號函所報終止維護專利。

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