具異質結構之矽基太陽能電池及其製造方法

專利類型

設計(新式樣)

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099127245

專利證號

I 412145

專利獲證名稱

具異質結構之矽基太陽能電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/10/11

技術說明

一種具異質結構之矽基太陽能電池包含一矽(100)基板及一三族-氮化物材料層。該矽(100)基板包含一矽(111)晶面，該矽(111)晶面係屬一粗糙化表面，藉由蝕刻方式得到矽(111)面。該矽基太陽能電池之製造方法係該三族-氮化物材料層成長於該矽(111)晶面上，並形成一異質結構。在該矽(111)晶面及三族-氮化物材料層之間形成一串接型異質接面，一來能夠降低原先三族-氮化物材料所需的基板成本，二來又能夠將矽基太陽能電池的光電轉換效率再往上提升，能更形成簡單的異質雙接面矽基太陽能電池。 A silicon-based solar cell having a heterogeneous structure includes a silicon (100) substrate and a III-nitrite layer. The silicon (100) substrate includes a silicon (111) plane which is a processed surface. A manufacturing method for the silicon-based solar cell is the III-nitrite layer grown on the silicon (111) plane so as to form a heterogeneous structure. Formed between the silicon (111) plane and the III-nitrite layer is a serially connected heterogeneous interface.

備註

本部(收文號1050043321)同意該校105年6月23日中產營字第1051400638號函申請終止維護專利35件(中山)。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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