鑽石成核方法及其所形成之結構A method of diamond nucleation and a structure formed thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104116395

專利證號

I 546425

專利獲證名稱

鑽石成核方法及其所形成之結構A method of diamond nucleation and a structure formed thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/08/21

技術說明

單原子層石墨烯其邊緣及表面在新穎應用上都具有多樣性。其中， 直接將石墨烯的sp 2 碳鍵轉換成sp 3 的鍵結提供了另一種鑽石成核的可 能性。在此技術中我們用微波電漿輔助式化學氣相沉積系統直接在 石墨烯覆蓋的基板上沉積鑽石薄膜，而不是一般用來提高鑽石成核 密度的種晶法。石墨烯轉移到鎢金屬薄膜上則有效地顯示了鑽石主 要成核在經電漿處理後的網狀結構石墨烯邊緣。然而，沒有覆蓋鎢 金屬薄膜的樣品，我們也成功地在具有基板支撐以及懸空的石墨烯 上成長連續的鑽石薄膜。不過，該製程調控範圍非常小。 Both edges and surfaces of atomically thin graphene exhibit diversified properties for novel applications. Among them, conversion of sp 2 carbon bonds in graphene to sp 3 provides a potential route to diamond nucleation. We demonstrate nucleation of diamond on graphene covered substrates by microwave plasma chemical vapor deposition without diamond seeding. Graphene covered tungsten coating effectively induces diamond nucleation predominantly at edges of plasma modified mesh-like graphene structures. However, without any tungsten coating, we have also synthesized continuous diamond films on both supported and suspended graphene although the process window is narrow.

備註

本部(收文號1101100521)同意該校110年3月2日成大產創字第1101100521號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址