超晶格基極異質結構雙極性電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096124962

專利證號

I 343124

專利獲證名稱

超晶格基極異質結構雙極性電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄師範大學

獲證日期

2011/06/01

技術說明

本發明揭示一種具有砷化銦鎵/砷化鎵(InGaAs/GaAs)超晶格基極之磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/GaAs)異質結構射極雙極性電晶體。相較於傳統的異質結構射極雙極性電晶體，本發明之超晶格基極元件因載子穿透行為使該超晶格基極區域有較多的少數載子儲存，其具有高的集極電流、高的電流增益及相當低的基-射極導通電壓。此低的基-射極導通電壓可降低元件的操作電壓與集-射極補償電壓，極適於低功率消耗之電路應用。 InGaP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with InGaAs/GaAs superlattice-base structure is disclosed by the present invention. As compared to the traditional InGaP/GaAs HEBT, the studied superlattice-base device exhibits a high collector current, a high current gain, and a relatively low base-emitter turn-on voltage attributed to the increased charge storage of minority carriers in the InGaAs/GaAs superlattice-base region by tunneling behavior. The low turn-on voltage can reduce the operating voltage and collector-emitter offset voltage for low power consumption in circuit applications.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

學術研究組

連絡電話

7172930轉6700

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