具有雙層通道結構之擬晶性高電子移動率電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091122907

專利證號

189414

專利獲證名稱

具有雙層通道結構之擬晶性高電子移動率電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2003/10/11

技術說明

本專利係有關於一種具有雙層通道結構之擬晶性高電子移動率電晶體 (PHEMT)。本發明元件將：(1) 使用InGaP/InGaAs/GaAs雙層通道結構，這可 以利用較厚且較高銦(In)含量的砷化銦鎵(InGaAs)材料做為通道層，因此可 改良載子傳輸特性，而閘極工作電壓擺幅也能提昇；(2) 利用上、中、下三 層平面摻雜層做為載子供應層，這可以使在雙層通道結構內的載子均勻分 佈，使元件獲得良好的直流及交流線性度；(3) 利用大能隙之磷化銦鎵 (InGaP)材料作為蕭特基接觸層及緩衝層；上方之磷化銦鎵(InGaP)層可提供 元件良好之蕭特基特性；下方之磷化銦鎵(InGaP)層可抑制從基板漏失之基板 漏電流，使元件具有良好的夾止特性；(4) InGaP/InGaAs界面間大的導電帶 不連續度(ΔEC)可以有效的將載子侷限在雙層通道結構，降低順向操作時的漏 電流。 In this invention, we propose a double channel pseudomorphic high electron mobility transistor (DC-PHEMT) for high-performance applications. Generally, in GaAs-based FETs, due to the higher electron mobility, higher peak electron velocity, and lower effective mass of InGaAs material, it is favorable to use an InGaAs to replace the GaAs as a channel layer to improve the device performances........

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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