奈米矽顆粒型架構之影像感測元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095118327

專利證號

I 312190

專利獲證名稱

奈米矽顆粒型架構之影像感測元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2009/07/11

技術說明

本發明係關於一種影像感測元件，特別是一種奈米顆粒型的影像感測元件，於積體電路的後段製程將影像感測元件形成於護層之上。一種影像感應元件結構，形成於一積體電路最上層，它包含一以透明導電氧化層的上電極板，一反射金屬為下電極板，在下電極板與上電極板之間則是一絕緣層包覆無數顆矽質奈米晶粒。由於感光元件是位於積體電路最上層，而把必要的解調電路或其相關電路放在半導體基板上。因此，本發明的優點不但包括不會佔據基板的平面面積，且沒有傳統形成於半導體基板之CMOS影像感測元件的開口率的顧慮。 A novel photodiode device based on silicon nano-crystal architecture formed on the most upper layer of semiconductor integrated circuit is disclosed. The device is formed of a transparent conductive oxide layer as a upper electrode plate, a lower electrode plate and amid them are an insulating layer having myriad nano-crystals therein. The device provide high photo energy to electrical energy convert efficiency due to the direct band gap and large surface area than conventional P/N CMOS image sensor.

備註

本部(收文號1050080009)同意該校105年10月5日清智財字第1059005183號函申請終止維護專利

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