具有規則結構之矽基板的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101129434

專利證號

I 473157

專利獲證名稱

具有規則結構之矽基板的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

本發明係在矽晶基板上製備規則有序微奈米孔洞陣列之新製作方法。其包括提供一矽基晶片作為基板；,以自組裝方式預製作規則有序排列之高分子微奈米球層於該基板上，將該基板置入一腔體內；通入一氣體於該腔體內，使該氣體進入電漿態，該電漿用以調變高分子微奈米球之尺寸及於高分子微奈米球與球之間隙形成一保護層；最後以濕式蝕刻法蝕刻該基板，即可在該矽晶基板表面製備出規則有序之矽基微奈米孔洞陣列結構。製程中完全不需額外再鍍製其它薄膜遮罩，可大幅促進其製作效率。此新穎方法將可有效快速地在各式不同晶面指向之矽基晶片基板上製備出規則微奈米孔洞結構陣列，而無需使用複雜的半導體微影技術。 In this invention, we propose a new, facile and efficient method to fabricate size-, shape- and density-tunable periodic Si-based micro-, nano-hole arrays, which is based on gas plasma modified nanosphere lithography with a site-selective wet chemical etching technique. No additional metal thin film serving as a wet etching mask is needed in this process. The proposed new approach promises to offer an effective patterning method for fabrication of regular nanohole arrays on various Si-based substrates without complex lithography.

備註

本會(收文號1110072340)同意該校111年11月23日中大研產字第1111401301號函申請終止維護專利(國立中央大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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