單層金屬奈米粒子薄膜之製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098100479

專利證號

I 377270

專利獲證名稱

單層金屬奈米粒子薄膜之製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/11/21

技術說明

我們利用電化學沉積法可一步將金奈米粒子直接沉積於可導電的基板上。相較於一般兩步的沉積方式需先製備金奈米粒子溶液再將基板浸泡於金奈米粒子溶液中數個小時所耗費的時間相比，在這裡我們的沉積時間只有50s即可完成。並且利用界面活性劑來防止金奈米粒子的聚集，製備完成後可用水沖洗去多餘的界面活性劑，提供更加純淨的金奈米粒子基板。最後經光學量測後可以發現，我們可藉由控制沉積的時間得到不同粒徑大小的金奈米粒子，並且也得到不同UV-Vis吸收波長的金奈米粒子，隨著沉積時間的增加其UV吸收波長也有紅位移的趨勢。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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