調整金屬氧化物薄膜功函數之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100149092

專利證號

I 464789

專利獲證名稱

調整金屬氧化物薄膜功函數之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/12/11

技術說明

本發明係提供一種調整金屬氧化物薄膜表面功函數的方法，其係以超臨界製程處理例如氧化銦錫(ITO)等金屬氧化膜，改變薄膜的表面特性。而超臨界製程包含使用二氧化碳為超臨界流體，並可配合H2O2等活化物，提昇金屬氧化膜的表面功函數。ITO薄膜經二氧化碳/H2O2超臨界製程處理後，其功函數可從未處理前的4.8 eV提昇至5.5 eV，因此可用於取代傳統昂貴之氧電漿製程，可應用於OLED及有機太陽能電池產業。 A method for modification work function of metal oxide thin films is proposed based on super crutical CO2/H2O2 treatment.The SCCO2/H2O2 treatments yielded an ITO work function of 5.5 eV after the treatment, which was significant higher than 4.8 eV of the as-cleaned ITO surface. The proposed technique can be used to replace conventional O2 plasma treatment for OLEDs and organic solar cells fabrication.

備註

本部(收文號1061000804)同意該校106年10月20日中產營字第1061401097號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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