靜電放電保護電路ESD PROTECTION CIRCUIT

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/589,285

專利證號

US 8,498,085 B2

專利獲證名稱

靜電放電保護電路ESD PROTECTION CIRCUIT

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/07/30

技術說明

本電路之主要目的係在於提供一種靜電放電保護電路，藉由電流鏡結合第一電晶體之電路設計，當靜電放電現象發生於靜電放電保護電路時，第一電晶體係為開啟狀態，使得電流鏡所產生之等效電容值放大，因此，充足的RC常數可確保該該第一CMOS反相器不會太早關閉，也確保矽控整流器能持續維持導通，以提供靜電放電路徑，直到靜電放電之情形結束為止，本技術係應用電流鏡之電容放大技術及該第一電晶體作為控制開關，因此能有效降低晶片佈線面積及降低漏電流。 An ESD protection circuit comprises a silicon controlled rectifier, a first CMOS inverter, a first transistor, a current mirror, a PMOS capacitor and a resistor. The first CMOS inverter is electrically connected with the silicon controlled rectifier. The first transistor comprises a first electrode, a second electrode, and a third electrode, wherein the first electrode is electrically connected with the silicon controlled rectifier and the first CMOS inverter, and the current mirror is electrically connected with the third end of the first transistor. The PMOS capacitor is electrically connected with the current mirror. The resistor is electrically connected with the first CMOS inverter, the second end of the first transistor, and the PMOS capacitor.

備註

本部(收文號1050080059)同意該校105年10月5日中產營字第1051401065號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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