具負微分電阻之高電子遷移率電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096115508

專利證號

I 341030

專利獲證名稱

具負微分電阻之高電子遷移率電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄師範大學

獲證日期

2011/04/21

技術說明

本發明揭示一種多重單原子層摻雜的砷化銦鋁/砷化銦鎵(AlInAs/GaInAs)高電子遷移率電晶體，其具有負微分電阻、高線性轉導及寬廣閘極電壓操作範圍，以應用於訊號放大器及邏輯電路。本發明結構中採用多重單原子層摻雜設計，有兩個二維電子雲氣於砷化銦鎵層兩側形成，且砷化銦鎵層中間之單原子層摻雜用以增強砷化銦鎵通道之濃度。在順向閘極偏壓下，經由三角位障、單原子層摻雜之砷化銦鋁層及三角Schottky位障，電子可從砷化銦鎵通道穿透至閘極電極，常溫下出現二端之負微分電阻(NDR)特性，可實質地拉低閘極電流，此亦即提升了閘極順向電壓。此外，由於砷化銦鋁/砷化銦鎵異質接面有大的導電帶不連續值及多重單原子層摻雜形成的V型通道，對於砷化銦鎵通道內之載子有佳的侷限能力，可更加地提升閘極順向電壓。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

學術研究組

連絡電話

7172930轉6700

網址