利用斜向沈積形成之奈米結構薄膜及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願2008-297210

專利證號

特許 5621955

專利獲證名稱

利用斜向沈積形成之奈米結構薄膜及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/10/03

技術說明

本發明提出了一種利用斜向沈積技術形成之透明導電氧化物奈米結構及其方法。該方法使用電子槍來蒸鍍靶材， 其蒸鍍基板設置在多個可轉動傾斜的平板上， 並具有氣體控制閥控制氣體的通入， 及一加熱源控制腔體內溫度， 並於蒸鍍後進行退火製程， 以改善薄膜結構與光電性質。 在本發明當中，我們提出斜向沈積法沈積透明導電氧化物 (TCO)的奈米結構。沈積的蒸鍍源包含氧化銦錫 (ITO)、氧化鋅 (ZnO)、氧化鋅鋁 (AZO)等透明導電氧化物材料，所使用的蒸鍍基版涵蓋半導體基版與玻璃等透明基板。這種奈米結構透明導電薄膜將可做功能型電極，不僅有增強光穿透及抗反射特性，同時仍保有增加電荷收集及幫助電流擴散等特性。沈積過程中，我們藉由調整氮氣及氧氣的流量通入比例調變，搭配後熱退火處理，來控制TCO奈米結構薄膜的光穿透特性及導電特性，提升元件效率。本發明方法可實施於各種光電元件上，特別是太陽能電池及發光二極體。 The present invention discloses a nanostructured thin-film formed by utilizing oblique-angle deposition and method of the same. The method adopts electron-beam to evaporate target material. Evaporation Substrates to be deposited are provided on multiple rotatable and tilting plates. Several control valves are provided to control the gas flow, and a heat source to control the chamber temperature. Additionally, anneal process is performed after deposition to improve the thin-film structure and optoelectronic characteristics.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

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