寬頻低雜訊放大器wideband low noise amplifiers

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/030,808

專利證號

US 7,755,435 B2

專利獲證名稱

寬頻低雜訊放大器wideband low noise amplifiers

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2010/07/13

技術說明

　　本發明主要為一超寬頻低雜訊放大器電路架構，此電路架構方法主要為:第一級電路及第二級電路為電容式回授放大器及電阻式回授放大器，用來匹配寬頻輸入阻抗至50 ohm及得到低雜訊指數。於第二級電阻式回授放大器輸出端之後加上電感式回授放大器(第三級電路)和緩衝放大器(第四級)，可以產生超寬頻增益頻寬。 　　本發明主要為一超寬頻低雜訊放大器電路架構，此電路架構方法主要為:第一級電路及第二級電路為電容式回授放大器及電阻式回授放大器，用來匹配寬頻輸入阻抗至50 ohm及得到低雜訊指數。於第二級電阻式回授放大器輸出端之後加上電感式回授放大器(第三級電路)和緩衝放大器(第四級)，可以產生超寬頻增益頻寬。 本發明係有關於一種低雜訊放大器，特別是有關於一種適用於超寬頻(ultra－wide.band,UWB)的低雜訊放大器。一種寬頻低雜訊放大器，包括放大器、輸出裝置與一峰突電感。放大器用以放大自信號輸入端接收到之輸入信號，並且將放大過的信號輸出至信號輸出端，輸出裝置耦接至第一電壓源與信號輸出端，峰突電感耦接於放大器與輸出裝置之間。 A wideband low noise amplifier. The wideband low noise amplifier comprises an amplifier, an output device, and an inductor. The amplifier amplifies an input signal received from an input node, and outputs the amplified signal to an output node. The output device is coupled to a first voltage and the output node. The peaking inductor is coupled between the amplifier and the output device.

備註

本部(收文號1060068210)同意該校106年8月29日校研發字第1060072248號函申請終止維護專利

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