薄膜電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095125199

專利證號

I299214

專利獲證名稱

薄膜電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/07/21

技術說明

本專利的發明來基於薄膜電晶體的應用，利用矽鍺薄膜具備低阻值的優點，將SiGe材料引入 做 為電晶體的通道層。如此，可大幅降低在源極汲極處的通道電阻，提昇驅動電流及元件特 性。 另外，因為SiGe材料乃藉由電漿輔助式化學氣相沉積系統(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)或者低壓化學氣相沉積系統(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)成長出來，其本身具有足夠的缺陷可以做為元件照光下，光漏電產生時 的 電荷捕捉中心。因此，光漏電可望被降低。本發明的應用乃是將矽鍺材料的低阻值之優點及 本 身具有足夠的缺陷數之特性結合在一起，在不改動傳統製程的情況下形成薄膜電晶體元件， 在 製程上具有相當大的製程一致性並且提昇元件的操作特性。這種新潁的低溫沉積矽鍺材料可 用 來克服導通電流不足以及光漏電的問題。因此，矽鍺薄膜有相當大的空間來應用在薄膜電晶 體 顯示器的製程之上。

備註

本部(收文號1070027911)同意該校107年4月26日中產營字第1071400414號函申請申請終止維護專利

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