適用於低電壓製程之電荷幫浦電路Charge pump circuit suitable for low-voltage process

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/861,359

專利證號

US 7,145,382 B2

專利獲證名稱

適用於低電壓製程之電荷幫浦電路Charge pump circuit suitable for low-voltage process

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/12/05

技術說明

一種雙觸發矽控整流元件與試用其之靜電保護電路。此種雙觸發矽控整流元件係在一個P型基 底中配置了數個N+擴散區域...N型觸發區。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

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