具分離式閘極垂直型金氧半電晶體元件結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098108226

專利證號

I 398951

專利獲證名稱

具分離式閘極垂直型金氧半電晶體元件結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2013/06/11

技術說明

近年來，复晶矽薄膜電晶體由於比非晶矽薄膜電晶體有較高的載子移動率，因此應用在主動式液晶顯示器和電路整合在玻璃基板上，是一項非常吸引人的技術。然而，由於汲極端的高電場會導致強大的漏電流使元件產生不穩定性，因此阻礙了复晶矽薄膜晶體在高效能電路上的應用。漏電流主要的機制是汲極端空乏區的強大電場誘使載子經由晶粒邊界的缺陷而形成漏電流。因此，為了減少強大的漏電流，必須要去降低汲極端的高電場。在許多的研究中，像是offset-gated我們提出一個具有厚源汲極與內側壁薄膜電晶體（RSDIS-TFT），而且不需要使用額外的離子佈植步驟或化學機械研磨。與RSDIS-TFT降低了汲極端的高電 ，並且改善了扭結效應（彎折效應），降低漏電流。我們的制程步驟也比一般的RSD結構來的簡單。另外，我們也使用ISE-TCAD模擬軟體來驗證結構的元件特性。In recent years, the polycrystalline silicon thin film transistor has a higher carrier mobility than the amorphous silicon thin film transistor. Therefore, the active liquid crystal display and the circuit integrated on the glass substrate are very attractive technologies. However, due to the high drain field will lead to a strong leakage current instability of the components, thus hindering the polycrystalline silicon thin-film crystal in high-performance circuit applications. The main mechanism of the leakage current is that the drastic electric field in the extreme depletion region induces carriers to form leakage currents through defects in the grain boundaries. Therefore, in order to reduce the strong leakage current, it is necessary to reduce the drain-side high electric field. In many studies, such as offset-gated, we propose a thick-source drain and inner-wall thin film transistor (RSDIS-TFT) that does not require the use of additional ion implantation steps or chemical mechanical polishing. With RSDIS-TFT reduces drain-side high power, and improves the kink effect (bending effect), reducing leakage current. Our process steps are also simpler than the average RSD structure. In addition, we also use the ISE-TCAD simulation software to verify component characteristics of the structure.

備註

本部(收文號1070001664)同意該校106年12月28日逢產字第1060065517號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址