一種在(100)矽基板上成長碳化矽薄膜的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097137650

專利證號

I 449087

專利獲證名稱

一種在(100)矽基板上成長碳化矽薄膜的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/08/11

技術說明

本創作係為一種異質成長碳化矽薄膜製程，藉由射頻感應加熱化學氣相沉積法，於P型(100)矽基板上成長立方晶型碳化矽(3C-SiC)薄膜，此一製程方法為連續升溫製程，免去了一般碳化矽製程重複升降溫步驟，大幅縮短製程時間。利用本創作製程能成功消除碳化矽薄膜與矽介面的孔洞，有效提升薄膜的結晶性。本創作之四階段連續升溫製程將更適合產業發展高品質碳化矽薄膜。 A method of fabricating a silicon carbide (SiC) layer is disclosed, which comprises steps: (S1) heating a silicon-based substrate at a temperature of X ºC; (S2) carburizating the silicon-based substrate with a first hydrocarbon-containing gas at a temperature of Y ºC to form a carbide layer on the silicon-based substrate; (S3) annealing the silicon-based substrate with the carbide layer thereon at a temperature of Z ºC; and (S4) forming a silicon carbide layer on the carbide layer with a second hydrocarbon-containing gas and a silicon-containing gas at a temperature of W ºC; wherein, X is 800 to 1200; Y is 1100 to 1400; Z is 1200 to 1500; W is 1300 to 1550; and X

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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