光電記憶體元件、其製造以及量測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097132581

專利證號

I 394306

專利獲證名稱

光電記憶體元件、其製造以及量測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/04/21

技術說明

本發明提供一種光電記憶體元件、其製造以及量測方法。根據本發明之光電記憶體元件，包含基板、絕緣層、主動層、源極以及汲極。該基板包含一閘極，且該絕緣層，形成於該基板上。該主動層，形成於該絕緣層上，特別地，該主動層係由包含共軛高分子材料以及量子點材料之複合材料所構成。該源極以及該汲極皆形成於該絕緣層上，並且皆電連接該主動層。 本發明係揭露一新穎對光靈敏之聚合物電晶體，該系統係以量子點混摻至共軛導電高分子材料作為主動層，光照射後電子轉移至量子點並儲存於量子點，加以適當的閘極電壓使得電子脫離量子點。採用不同大小之量子點及量子點種類或不同能帶間隙之導電共軛高分子可以改善不同元件的光寫入之波長，並可利用不同結構之量子點增加電子局限於量子點的時間進而增強記憶體的儲存時間。此系統較一般傳統電晶體記憶體更容易製備且製程便宜。 The present invention provides an optoelectronic memory device, the method for manufacturing and evaluating the same. The optoelectronic memory device of the invention includes a substrate, an insulative layer, an active layer, a source and a drain. The substrate includes a gate, and the insulative layer is formed on the substrate. The active is formed on the insulative layer, and more particularly, the active layer is formed of a compound comprising conjugated conductive polymers and quantum dots. Moreover, both of the source and the drain are formed on the insulative layer, and electrically connected to the active layer.

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

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