發明
中華民國
088114070
I 164935
晶圓化學機械研磨拋光製程
國立中興大學
2002/10/11
本發明係一種晶圓化學機械研磨拋光製程,其主要係將晶圓化學機械研磨拋光製程分為二階段,第一階段考量之重點為 移除率,第二階段考量之重點為晶片表面之不均勻度,並分別於二階段給予不同的製程參數,藉以達到讓化學機械研磨 拋光製程全面最佳化者。
本部(收文號1040089468)同意該校104年12月17日興產字1044300671號函申請終止維護專利
技術授權中心
04-22851811
版權所有 © 國家科學及技術委員會 National Science and Technology Council All Rights Reserved.
建議使用IE 11或以上版本瀏覽器,最佳瀏覽解析度為1024x768以上|政府網站資料開放宣告
主辦單位:國家科學及技術委員會 執行單位:台灣經濟研究院 網站維護:台灣經濟研究院