電阻式記憶體的製造方法METHOD OF FABRICATING VARIABLE RESISTANCE LAYER FOR RESISTANCE MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2010-101210

專利證號

特許 5551502

專利獲證名稱

電阻式記憶體的製造方法METHOD OF FABRICATING VARIABLE RESISTANCE LAYER FOR RESISTANCE MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2014/05/30

技術說明

電阻式記憶體的相關研究在近幾年逐漸受到重視，主要是由於其結構簡單、操作電流低、低能量耗損等優點。實際應用上可以利用電阻式記憶體之高低電阻狀態來代表0和1的數位資訊，結合積體電路技術製作成非揮發性記憶體。本技術是直接製作Cu和SiO2混合之薄膜來形成電阻式記憶體之功能性膜層，可以具有以施加偏壓來調控之高與低電阻狀態。本技術的特點為使用一次的鍍膜製程就可做好Cu和SiO2的混合膜層，此鍍膜製程可以為Cu靶和SiO2靶之共濺鍍方式，或是以混合Cu和SiO2之複合靶之濺鍍方式達成。本技術不需再經過熱擴散，或是偏壓驅入程序使Cu由外部電極進入SiO2膜層。 This invention is about the techniques for fabricating Cu-SiO2 thin films that is utilized as the function material in resistive memory. Resistance of above mentioned films can be modulated by applied voltage yielding a low resistance state and a high resistance state. The Cu-SiO2 films were produced by one-step coating process utilizing either co-sputter deposition of Cu and SiO2, or sputter deposition of Cu-SiO2 composite target. The deposited films do not need additional thermal diffusion or electrical stress to drive Cu from external electrode into SiO2 film.

備註

本部(收文號1090018327)同意該校109年3月24日臺科大研字第1090102202號函申請終止維護專利(臺科大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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