具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092136819

專利證號

I 232582

專利獲證名稱

具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2005/05/11

技術說明

本發明提供一種具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構，包括：一基底；一絕緣層位 於上述基底上；一SiObNa層（4/3a+b/2=1，0≦a≦1，0≦b≦1）位於上述絕緣層上；複數個 Ge量子點位於SiObNa層中；以及一導電層位於上述SiObNa層上。

備註

1.發明人:劉柏村 ;張鼎張 ;王敏全 ;顏碩廷 ;陳紀文 ;蔡宗鳴 ;施敏 . 2.公務預算 3.本部(收文號1050075418)同意該院105年9月12日國研授米企院字第1050500932號函申請終止維護專利

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