增加共軛導電高分子ß-phase含量之方法及其在高分子發光二極體上之應用Method of Increasing Beta-Phase Content in a Conjugated Polymer Useful as a Light Emitting Layer in a Polymer Light Emitting Diode

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/222,344

專利證號

US 8,287,941 B2

專利獲證名稱

增加共軛導電高分子ß-phase含量之方法及其在高分子發光二極體上之應用Method of Increasing Beta-Phase Content in a Conjugated Polymer Useful as a Light Emitting Layer in a Polymer Light Emitting Diode

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/10/16

技術說明

我們發現一個嶄新的濕式浸潤法可以部分地將共軛高分子之具非晶形(amorphous) 鏈段轉換為具較長共軛長度之鏈段 (稱為β phase)。此β phase分佈於非晶形鏈段中就如同摻雜物（dopant）一般，因此也被稱為自身摻雜物 (self-dopant)。分佈於非晶形鏈段中的β phase具有能量傳遞(energy transfer)與載子補陷(charge trapping)的功能，進而能使電子與電洞電流密度達到較為平衡的比例以及得到較有效的載子結合率。舉例來說，當聚氟高分子(polyfluorenes)薄膜浸潤於一混合溶劑/非溶劑（即四氫呋喃/甲醇，體積比為一比一）中能得到1.32%的β phase含量，將依此方式得到的高分子薄膜製作成高分子發光二極體元件，可以得到一較穩定之高純度藍光（其CIE color coordinates x+y < 0.3）以及較佳的元件效能（電流效率與外部量子效率分別可達到3.85 cd A-1與3.33%，而最高亮度為 34326 cd m-2）。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址