多層晶片之交連線及矽穿孔之診斷方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100115383

專利證號

I 418823

專利獲證名稱

多層晶片之交連線及矽穿孔之診斷方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

在大型電路中，交連線成為一個重要的瓶頸，數量過多且結構複雜的交連線提高了設計上的複雜度，雖然三維堆疊技術的出現適時的解決了二維晶片(2D IC)在繞線上的問題，但同時也造成大量TSV的使用，而在三維晶片中，TSV的可靠度是影響三維晶片良率的重要因素之一。 目前針對三維晶片的測試可分為結合前(Pre-Bond)測試及結合後(Post-Bond)測試。為了確保三維晶片的可靠度，必須確保只有Known Good Dies(KGDs)可以被用來進行堆疊；因此，利用振盪環(Oscillation Ring, OR)的Interconnect Oscillation Ring Testing (IORT)測試方法來檢測交連線是否發生錯誤，更進一步以Interconnect Oscillation Ring Diagnosis (IORD)來診斷發生錯誤之交連線。 針對三維晶片中在堆疊及結合製程時，可能導致晶片產生瑕疵進而產生交連線錯誤需要進行結合後測試。 A diagnosis method of tier-based multilevel interconnect includes the steps of: providing a plurality of TSVs in a multilevel IC which has a multilevel circuit including a plurality of interconnects; utilizing a IORT algorithm to calculate the multilevel circuit so as to generate a plurality of horizontal oscillation rights and a plurality of vertical oscillation rings from the interconnects; utilizing the horizontal oscillation rings and the vertical oscillation rings to test and diagnosis the multilevel IC.

備註

本部(收文號1050080059)同意該校105年10月5日中產營字第1051401065號函申請終止維護專利

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