多位元電阻切換記憶體元件與陣列

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100141564

專利證號

I 451570

專利獲證名稱

多位元電阻切換記憶體元件與陣列

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/09/01

技術說明

本發明提出一與現有CMOS製程技術相容的新穎多位元非揮發性電阻式記憶體元件與其操作方法和陣列架構。有別於傳統電阻式記憶體多利用金屬層-氧化層-金屬層(MIM)的電容結構，本元件利用一具有金屬閘極與阻值切換特性的閘極氧化物的場效電晶體結構，藉由控制靠近源極與汲極區域局部的閘極氧化物阻值切換，達到多位元記憶儲存，有效地增加單位面積內的記憶體密度，為一低成本、高密度的非揮發性記憶體解決方案。同時同一元件可利用於邏輯電路與記憶體陣列，降低製程複雜度，在嵌入式應用上非常具有吸引力。 The invention relates a multi-bit resistive-switching nonvolatile memory cell, array architecture, and operation method fully compatible with the standard CMOS technology. Instead of the metal-insulator-metal (MIM) capacitor structures most popular in conventional resistive-switching memory cells, the proposed cell utilizes a standard MOSFET structure with a resistive-switching gate oxide layer and a metal gate. The feature of multi-bit-per-cell is realized by independent, localized resistive switching at the drain and source bits, respectively, and enables doubled bit density per unit area, desirable for low-cost and high-density resistive-switching memory implementation. Furthermore, an identical device can be used as a logic switch, a RS memory, or an interchangeable logic/memory multifunctional device. It reduces the process complexity for embedded applications where both logic circuitry and memory array are present.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址