氧化物薄膜之製造方法及包含氧化物薄膜之半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110124264

專利證號

I 790667

專利獲證名稱

氧化物薄膜之製造方法及包含氧化物薄膜之半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/01/21

技術說明

本發明揭露一種氧化物薄膜之製造方法，用以製造一半導體元件之一氧化物薄膜，將一前驅物氣霧導入一非真空腔室內進行一沈積/退火循環步驟，該沈積/退火循環步驟係依序且反覆進行一霧化步驟、一沈積步驟及一退火步驟兩次以上，使該氧化物薄膜成長於一載板表面

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址