Method for preparing invisible anodic aluminum oxide pattern

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/169,051

專利證號

US 10,947,634 B2

專利獲證名稱

Method for preparing invisible anodic aluminum oxide pattern

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2021/03/16

技術說明

兩種防偽技術，第一種利用陽極氧化鋁(AAO)的光致螢光性質(Photoluminescence)，在AAO薄膜 (AAO film)之奈米孔洞結構上能夠透過改變製程參數(解液、陽極氧化條件、氧化膜的厚度、擴孔、退火等)來控制結構的性質，結合光刻技術並控制AAO膜的PL強度，可以製造出在可見光下隱形，照射UV光才顯現的圖形，進而將陽極氧化鋁的光致螢光性質用於防偽技術上。第二種則是利用在室溫搭配高低正負脈衝電壓進行短時間的一次陽極氧化形成具結構性色彩的陽極氧化鋁，並藉由鍍上金屬膜使色彩飽和度增加，無需加入染色劑。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址