薄膜型發光二極體的製作方法及薄膜型發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104110910

專利證號

I 590487

專利獲證名稱

薄膜型發光二極體的製作方法及薄膜型發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2017/07/01

技術說明

本發明提供一種發光二極體的製作方法，包含：一個提供步驟、一個暫時基板形成步驟、一個磊晶基板移除步驟，及一個透光層形成步驟。首先，該提供步驟是提供一發光二極體結構，該發光二極體結構包括一磊晶基板、一形成於該磊晶基板表面的發光單元，以及一形成於該發光單元頂面的電極單元。接著，該暫時基板形成步驟是將一暫時基板連接於該發光單元的頂面形成一暫時結構，再接著，該一磊晶基板移除步驟是將該基板移除，令該發光單元與該磊晶基板接觸的底面露出。最後，透光層形成步驟是於該發光單元的底面上形成一層透光層。本發明還提供一種發光二極體。 The present invention provides a method of manufacturing a light emitting diode, comprising: a step of providing a temporary substrate formation step, an epitaxial step of removing the substrate, and a light transmissive layer forming step. First, it provides step is to provide a light-emitting diode structure, the light-emitting diode epitaxial structure includes a substrate, an epitaxial substrate formed on the surface of the light-emitting unit, and a light-emitting unit formed on the top surface of the electrode unit . Subsequently, the temporary substrate forming step is a temporary substrate to the top surface of the light emitting element is connected to form a temporary structure, followed by the one epitaxial substrate removal step is to remove the substrate, so that the light emitting element and the Lei the bottom surface of the crystal substrate contact is exposed.

備註

本部(收文號1110019123)同意該校111年4月1日興產字第1114300232號函申請終止維護專利(國立中興大學)

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