雙頻帶低雜訊放大器及單頻帶低雜訊放大器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100115106

專利證號

I 435539

專利獲證名稱

雙頻帶低雜訊放大器及單頻帶低雜訊放大器

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2014/04/21

技術說明

本申請案是一種利用提高增益技巧的來實現低功耗的雙頻帶共存低雜訊放大器。這個提高增益的技巧僅在共閘級端串接一個電感與電容，就能等效的提升共閘級電晶體的轉導值(gm)。因此電路本身的增益也就大大提升。此外，此技術成功地應用在一個2.4/5.2-GHz的雙頻帶共存低雜訊放大器的設計。與其它的2.4/5.2GHz雙頻帶低雜訊放大器相比，此申請案的電路，具有最高的單位功率之增益值與最高的性能指數FOM(figure of merit) This application describes a dual-band, concurrent, low-power, and low-noise amplifier using a gain-enhanced technique. The technique uses a series inductor and capacitor at the gate terminal of the common-gate stage transistor. Therefore the trans-conductance of the transistor is increased, and the gain is also improved significantly. The technique is successfully applied to a 2.4/5.2-GHz dual-band low-noise amplifier. Compared to other 2.4/5.2-GHz low-noise amplifier, the proposed amplifier feature highest gain and FOM.

備註

本部(收文號1060040584)同意該校106年6月19日北科大產學字第1067900147號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

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