電極薄膜之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102136466

專利證號

I 495183

專利獲證名稱

電極薄膜之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/08/01

技術說明

本發明係有關於一種電極薄膜之製備方法，包括下列步驟：(A) 提供一高分子基材，於該高分子基材上形成一包含複數個微孔之陣列結構；以及(B) 於該包含複數個微孔之陣列結構上分別沉積一導電層(又為觸媒載體)、一觸媒層、及一質子交換膜，以形成一電極薄膜；其中，該複數個微孔之深寬比分別介於2：1至5：1之範圍內。本專利改良先前本實驗室自製的開放式還原系統(open-loop reduction system, OLRS)，進一步藉由調控此系統中的還原壓力來改善觸媒粒徑、均勻分散性與電催化活性，並可將奈米級白金(platinum, Pt)觸媒顆粒沉積至奈米碳管(carbon nanotube, CNT)載體上，當作燃料電池電極觸媒之用途 A method for manufacturing an electrode film is disclosed, which comprises the following steps: (A) providing a polymer substrate, and forming an array structure comprising a plurality of micro holes on the polymer substrate; and (B) depositing a conductive layer (and also as a catalyst support), a catalyst layer, and a proton exchange membrane respectively, so as to form an electrode film; wherein the aspect ratio of the plurality of micro holes are ranging from 2:1 to 5:1.

備註

本部(收文號1100002967)同意該院110年1月12日清智財字第1109000186號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址