雙面粗化垂直導通式發光二極體LIGHT EMITTING DIODE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/903,852

專利證號

US 8,624,262 B2

專利獲證名稱

雙面粗化垂直導通式發光二極體LIGHT EMITTING DIODE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/01/07

技術說明

本發明提供雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法，先粗化於磊晶基板上磊晶成長之磊晶膜的第一表面並設置頂電極，接著將暫時基板貼上並移除磊晶基板，然後以高低落差不小於300nm的條件粗化磊晶膜裸露出另一第二表面，再將永久基板接觸粗化後的第二表面，並利用光學等級的黏著層填置永久基板與第二表面之間而黏結二者，最後移除暫時基板，即製得雙面粗化垂直導通式發光二極體；本發明藉著粗化的第二表面與永久基板形成非全面的歐姆接觸，可以有效調整電能通過磊晶膜的分佈狀況，提昇磊晶膜的量子效應，進而提高發光二極體的發光效能。 The object of the present invention is to provide a method of making a light emitting diode for overcoming the aforesaid drawbacks of the prior art. According to this invention, a method of making a light emitting diode comprises the steps of: (a) forming a plurality of electrically conductive members at intervals on a first surface of an epitaxial layer which generates light so that the electrically conductive members are in ohmic contact with the epitaxial layer; (b) forming a light incident layer on the first surface at regions where none of the electrically conductive members are formed; (c) forming a light reflecting layer on the light incident layer and the electrically conductive members; (d) providing a permanent substrate; (e) providing an adhesive; and (f) disposing the permanent substrate on the light reflecting layer, and bonding the permanent substrate to the light reflecting layer.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

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