應用於電阻式隨機儲存記憶體之非晶質金屬玻璃氧化物薄膜Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/850,860

專利證號

US 9,006,699 B2

專利獲證名稱

應用於電阻式隨機儲存記憶體之非晶質金屬玻璃氧化物薄膜Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2015/04/14

技術說明

本新穎性之發明關於非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜應用於電阻式隨機儲存記 憶體，擬用射頻磁控濺鍍儀製備超薄非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜於多層膜 (Pt/Ti/SiO2/Si)之基板，厚度約為15 nm 經由半導體分析儀測試，相較於其他類似 的材料大部分皆需要forming process，本材料在沒有forming process 的條件下具 有雙極性(unipolar)電阻轉換行為(resistance switching behavior)，且顯示了電阻比 值大於1 order 及低操作電壓亦毋需額外的高溫退火特性，尤其在耐久性及持久 力實驗中表現出具有高可靠度特性。由此可知，非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜 具極高潛力應用於電阻式隨機儲存記憶體。 Resistive switching (RS) characteristics and mechanism of multicomponent oxide (MCO) memory device are studied. MCO based on an amorphous (ZrCuAlNi)Ox active layer with a thin thickness of ~15nm is sputter deposited without substrate heating or post-annealing. The device shows forming-free unipolar RS properties of low operation voltage (<1.7V), long retention time, good endurance and resistance ratio. The RS property is considered to be dominated by the filamentary conduction due to the presence of oxygen vacancies in the grain boundary-free structure.

備註

本部(收文號1110003104)同意該校111年1月11日臺科大研字第1110100304號函申請終止維護專利

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