透明導電膜結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100120521

專利證號

I 427644

專利獲證名稱

透明導電膜結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2014/02/21

技術說明

本發明係提供一種透明導電膜結構及其製造方法，其中該透明導電膜結構，係藉由一透明耐磨層或附屬透明耐磨層結合於導電層上所構成。其抗刮性、光線穿透率及導電性質可藉由透明耐磨層厚度予以調整，厚度介於50奈米至500奈米。本發明利用前述透明耐磨層與導電層結合，所提供的高導電性、高光線穿透率、高抗刮性及高屈撓性，可以改善習用透明導電膜的限制及缺點，可廣泛應用於觸控面板、液晶顯示器、太陽能電池、有機發光二極體等產業上。 A transparent conductive film and method of fabrication the same are disclosed. The transparent conductive film comprises a conductive thin film and anti-scratch layers disposed thereon. The anti-scratch, transparency, and bending properties can be significantly improved by the incorporation of the anti-scratch layers, wherein its thickness is about 50 to 500 nm. The transparent conductive films having high transmittance and excellent anti-scratch performance can be applied in touch panels, liquid crystal displays, solar cell, and organic light emitting diodes.

備註

本部(發文號1110016052)同意貴校111年3月21日雲科大研字第1110500753號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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