一種非揮發性靜態隨機存取記憶體A NON-VOLATILE SRAM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104109437

專利證號

I 545564

專利獲證名稱

一種非揮發性靜態隨機存取記憶體A NON-VOLATILE SRAM

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/08/11

技術說明

現今由於能源意識的抬頭，低能量消耗已是手持式、穿戴式、無線感測網路等微型電子產品不可或缺的設計重點，而傳統的非揮發性靜態隨機存取記憶體於系統休眠前必需將所有資料備份至非揮發記憶元件中，如電阻式記憶元件、磁阻記憶元件、鐵電電容記憶元件等，故而消耗較多電能，若電源供應不足或不穩定之情況下，電池剩餘的電荷可能無法完成資料備份，即發生備份失敗的可能。因此，本提案以電阻式記憶元件為例，改良傳統的非揮發性靜態隨機存取記憶單元，以10T2R為新穎架構並搭配設計的節能儲存控制器，若靜態隨機存取記憶單元的資料與其非揮發記憶元件的資料相同時，則不做備份動作；若在資料不相同情況下，才需要做資料備份。如此，將可省下備份時資料覆寫消耗的電能。該技術可應用於常閉瞬開運算、能量擷取電子系統、L2或L3快取記憶體等。 Low energy consumption is one of indispensable design features in the consumer products such as portable devices. However, SRAM has the shortest access time in all types of memory and non-volatile memory has non-volatile feature when power off. NV-SRAM has two advantages -- high speed and non-volatility. Traditional non-volatile SRAMs consume significant amount of energy when backuping all data from the current storage to non-volatile devices before entering sleep mode. Therefore, the patent improves non-volatile SRAM cell with an efficient stored controller to save store energy. ReRAMs are used as an example for illustration. If data of SRAM is the same as ReRAM device, the stored controller will not execute re-written operation. If two data in the SRAM and the ReRAM device differ, the memory cell does store operation. So, it can save backup energy. The technique can be applied in normally-off computing system, energy harvesting system, and so on.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址